logo
6_sinaps_809220905

3. Химический синапс: общий план строения

4

В синапсе различают (рис. 709180936.):

  • пресинаптический элемент (полюс), который ограничен пресинаптической мембраной,

  • постсинаптический элемент (полюс), который ограничен постсинаптической мембраной. В постсинаптическом элементе выделяют околосинаптическую (внесинаптическую) область,

  • синаптическую щель.

Рис. 709180936. Общий план стро­ения синапса. А – пре­си­наптическая мембрана; Б -  синаптическая щель; В – пост­си­нап­ти­че­ская мем­брана.

Сложностей в определении основных частей химического синапса у морфологов, как правило, не возникает. В пресинапсе имеются синаптические пузырьки (рис. 809221450, 809221454).

Рис. 809221450. Морфологическая асимметрия химического синапса.

Рис. 809221454. Электронный микрофотоснимок синаптической бляшки (S) на дендрите (D) в центральной нервной системе. P — постсинаптическое утолщение; М — митохондрии (56000) tem. P, postsynaptic thickening; M, mitochondrion. (x 56,000). -->

По характеру синаптических пузырьков (рис. 410070849) можно предположить харатер медиатора синапса.

Рис. 410070849. Схема строения синаптических пузырьков: А — холинергических (светлых); Б — адренергических; В — пуринергических; Г — пептидергических.

Более того, по морфологическим данным мы можем предположить тормозной или возбуждающий синапс находится перед нами (рис. 410070900).

Рис. 410070900. Схема строения синапсов различных типов: А — тормозного типа; Б — возбудительного типа.. 1 — аксон; 2 — пресинаптическая мембрана; 3 — постсинаптическая мембрана; 4 — синаптические пузырьки; 5 — синаптическая щель; 6 — постсинаптические уплотнения.

Однако, если морфологических признаков недостаточно для решения этого вопроса, можно проследить в каком направлении распространяется возбуждение (рис. 709180936).

По ходу распространения возбуждения основные части синапса расположены в следующем порядке: пресинаптическая мембрана, синаптическая щель, постсинаптическая мембрана.